一硒化二鎵
| 一硒化二鎵 | |
|---|---|
| 識別 | |
| CAS號 | 12160-72-4 
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| 性質 | |
| 化學式 | Ga2Se |
| 摩爾質量 | 218.41 g·mol−1 |
| 外觀 | 黑色固體 |
| 熔點 | 920 °C（熔化） 930 °C（分解）[1] |
| 若非註明，所有數據均出自標準狀態（25 ℃，100 kPa）下。 | |
一硒化二鎵是一種無機化合物，化學式為Ga2Se，它是鎵的硒化物之一。它可在鎵和硒的包晶反應生成。[2]它是立方晶系晶體，a=8.918 Å，Z=10。[1]它是一種半導體，具有層狀結構。[3]
參考文獻
[編輯]- ^ 1.0 1.1 Rustamov, P. G.; Babaev, B. K.; Gamidov, R. S. Synthesis and study of gallium selenide (Ga2Se)（俄文）. Nov. Poluprov. Mater. [Conference], 1972. 65-69. CODEN: 27CBAQ.
- ^ Rustamov, P. G.; Babaeva, B. K.; Luzhnaya, N. P. The interaction of gallium with selenium. Izvestiya Akademii Nauk SSSR, Neorganicheskie Materialy, 1965. 1 (6): 843-844. ISSN 0002-337X.
- ^ Gamal, G. A.; Nagat, A. T.; Nassary, M. M.; Alwafa, M. A. Effect of Oblique Illumination on Photoconductivity Phenomena （頁面存檔備份，存於網際網路檔案館）. 2003-6
拓展閱讀
[編輯]- G. A. Gamal, A. T. Nagat, M. M. Nassary, A. M. Abou-Alwafa. Some Physical Properties of Ga2Se Single Crystals. Crystal Research and Technology. 1996, 31 (3): 359–364 [2021-11-24]. doi:10.1002/crat.2170310315. （原始內容存檔於2021-11-24） （英語）.